First- Principles Molecular Dynamics Simulation of SiO_2/SiC Interface of Silicon Carbide Devices (II)
First- Principles Molecular Dynamics Simulation of SiO_2/SiC Interface of Silicon Carbide Devices (II)
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碳化硅器件SiO_2/SiC界面第一性原理分子动力学模拟（二）
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Miyashita;M. Yoshikawa
