SiC-MOSFETによる低圧直流大電流遮断過程と限流部端子間電圧・遮断部接合部温度上昇の評価
SiC-MOSFETによる低圧直流大電流遮断過程と限流部端子間電圧・遮断部接合部温度上昇の評価
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使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程以及限流器端电压和中断结温升
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Date;T. Fujii;T. Inoue;E. I. Kauppinen;S. Maruyama;S. Chiashi,;渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
