Growth of InAs/GaAs quantum dots on germanium-on-insulator substrate by MOCVD for silicon photonics
Growth of InAs/GaAs quantum dots on germanium-on-insulator substrate by MOCVD for silicon photonics
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用于硅光子学的 MOCVD 在绝缘体上锗衬底上生长 InAs/GaAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Damien Bordel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Johan Kero;C. Szasz;A. Pellinen-Wannberg;G. Wannberg;A. Westman;Damien Bordel
