III-IV quantum dot lasers epitaxially grown on Si
III-IV quantum dot lasers epitaxially grown on Si
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DOI：
10.1109/cleopr.2017.8119104
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发表时间：
2017-07
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Siming Chen;M. Tang;Jiang Wu;M. Liao;A. Seeds;Huiyun Liu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Siming Chen;M. Tang;Jiang Wu;M. Liao;A. Seeds;Huiyun Liu
我们回顾了我们最近的发展，通过几种方法，在硅衬底上的III-V量子点激光器的直接外延生长。
We review our recent developments, through several approaches, in the direct epitaxial growth of III-V quantum dot lasers on silicon substrates.