Increased Drain-Induced Variability and Within-Device Variability in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
Increased Drain-Induced Variability and Within-Device Variability in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
复制标题
宽度低至 2nm 的极窄硅纳米线 MOSFET 中的漏极感应变异性和器件内变异性有所提高
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tomoko Mizutani
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
芹田和則;村上博成;川山巌;高橋義典;吉村政志;森勇介;斗内政吉;Tomoko Mizutani
