原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性
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使用原子层沉积形成 GeO2/Ge 界面以及缺陷的沉积温度依赖性

DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
影响因子：
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通讯作者：
財満鎭明
財満鎭明
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
兼松正行;柴山茂久;坂下満男;竹内和歌奈;中塚理;財満鎭明

文献摘要

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