Impact of the gate driver voltage on temperature sensitive electrical parameters for condition monitoring of SiC power MOSFETs
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DOI：
10.1016/j.microrel.2017.06.082
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发表时间：
2017-09
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. González;O. Alatise
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. González;O. Alatise
