Calculation of deep carrier traps in a divacancy in germanium crystals
Calculation of deep carrier traps in a divacancy in germanium crystals
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锗晶体双空位深载流子陷阱的计算
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Briddon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Coutinho;V. Torres;Robert Jones;A. Carvalho;S. Öberg;P. Briddon
我们提出了关于Ge双空位的电子结构和电学性质的从头算密度泛函研究。尽管与 Si 中的类似缺陷相比，Jahn-Teller 畸变存在本质上的不同，但两种材料中能隙中电能级的相对位置并没有根本不同。我们提出了一个 V2 模型，负责 Ev+0.03eV 的供体能级、Ev+0.3eV 的第一受体态和 Ec−0.4eV 的第二受体能级。后者仅比最近与质子注入材料中的双空位相关的电子陷阱深 0.1eV。
We present an ab initio density functional study on the electronic structure and electrical properties of divacancies in Ge. Although suffering essentially different Jahn-Teller distortions when compared to the analogous defect in Si, the relative location of the electrical levels in the gap does not differ radically in both materials. We propose a V2 model that is responsible for a donor level at Ev+0.03eV, a first acceptor state at Ev+0.3eV, and a second acceptor level at Ec−0.4eV. The latter is only 0.1eV deeper than an electron trap that has been recently linked to a divacancy in proton implanted material.