The effect of oxygen source on ferroelectricity of atomic layer deposited Hf0.5Zr0.5O2 thin film
The effect of oxygen source on ferroelectricity of atomic layer deposited Hf0.5Zr0.5O2 thin film
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氧源对原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性的影响
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Jiyoung Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yong Chan Jung;Jaidah Mohan;Harrison S. Kim;Heber Hernandez-Arriga;Takashi Onaya;Kihyun Kim;Namhun Kim;Si Joon Kim;Atsushi Ogura;Rino Choi;Jinho Ahn;and Jiyoung Kim
