UNUSUAL TI ADSORPTION ON SI(001) AND SUBSEQUENT ACTIVATION OF SI EJECTION
UNUSUAL TI ADSORPTION ON SI(001) AND SUBSEQUENT ACTIVATION OF SI EJECTION
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SI(001) 上不寻常的 TI 吸附以及随后激活 SI 喷射
DOI：
10.1103/physrevb.58.3549
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发表时间：
1998
影响因子：
3.7
通讯作者：
T. Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Yu;Y. Miyamoto;O. Sugino;T. Sasaki;T. Ohno
Ti 在 Si (001) 上的外延表现出 Ti 和 Si 原子的深度混合，从而形成硅化钛。这种现象与典型的外延生长有很大不同，目前尚不清楚。使用第一原理总能量计算，我们研究了 Ti 吸附原子与 Si (001) 表面的反应。我们发现，相对于 Si 表面上的“正常”跳跃扩散，Ti 吸附原子渗透到近表面间隙位点以及随后将其相邻表面 Si 原子喷射到平台上在运动学上是有利的。这些反应过程提供了过渡金属硅化初始阶段的微观机制。
The epitaxy of Ti on Si (001) exhibits a profound intermixing of Ti and Si atoms giving rise to the formation of titanium silicide. This phenomenon differs considerably from typical epitaxial growth and is not understood. Using first-principles total-energy calculations we examined the reaction of a Ti adatom with a Si (001) surface. We found that the penetration of the Ti adatom into a near-surface interstitial site and the subsequent ejection of its neighboring surface Si atoms onto a terrace is kinematically favored with respect to the “normal” hopping diffusion on a Si surface. These reactive processes provide the microscopic mechanism of an initial stage of transition-metal silicidation.