Investigation of the Sio2/Si(100) interface structure by means of angle-scanned photoelectron spectroscopy and diffraction
Investigation of the Sio2/Si(100) interface structure by means of angle-scanned photoelectron spectroscopy and diffraction
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通过角扫描光电子能谱和衍射研究 SiO2/Si(100) 界面结构
DOI：
10.1016/j.elspec.2004.02.024
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发表时间：
2004
影响因子：
1.9
通讯作者：
C. Westphal
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Dreiner;M. Schürmann;C. Westphal
非晶 Nb-Si 薄层的局部结构和热致结构演化
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Naito;Y. Kobayashi;M. Ishimaru;L. Berge;L. Dumoulin;C. A. Marrache-Kikuchi
通讯作者：
C. A. Marrache-Kikuchi