12 GHz coplanar quasi-monolithic oscillator

12 GHz coplanar quasi-monolithic oscillator
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12 GHz 共面准单片振荡器

DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
影响因子：
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通讯作者：
P. Hudek
P. Hudek
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
E. Wasige;G. Kompa;F. van Raay;W. Scholz;I. Rangelow;R. Kassing;S. Bertram;P. Hudek

文献摘要

被引文献

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第一个结果共面准单片（QM）电路与GaAs FET嵌入在硅衬底上。典型的单片集成技术用于制造无源电路和与有源器件的互连。在12 GHz振荡器上的测量证明了所提出的技术的可行性。
First results on coplanar quasi-monolithic (QM) circuits with GaAs FETs embedded in a silicon substrate are presented. Typical monolithic integration techniques are used for the fabrication of the passive circuitry and interconnects to the active devices. Measurements on a 12 GHz oscillator demonstrate the viability of the proposed technology.