前橋 兼三: "Initial Stages of GaAs MBE Growth on Si(111)(√<3>x√<3>)ーGa Surfaces" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L13-L16 (1990)
前橋 兼三: "Initial Stages of GaAs MBE Growth on Si(111)(√<3>x√<3>)ーGa Surfaces" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L13-L16 (1990)
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Kenzo Maebashi：“GaAs MBE 在 Si(111)(√<3>x√<3>)－Ga 表面上生长的初始阶段”《日本应用物理学杂志》29. L13-L16 (1990)。
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