High Quality Single-Crystal Ge-Rich SiGe on Insulator Structures by Si-Doping Controlled Rapid Melting Growth
High Quality Single-Crystal Ge-Rich SiGe on Insulator Structures by Si-Doping Controlled Rapid Melting Growth
复制标题
通过硅掺杂控制快速熔融生长在绝缘体结构上制备高质量单晶富Ge SiGe
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Tanaka;et al.
