Electrical Properties of ion implanted ZnO thin film for source and drain regions of ZnO-TFTs.
Electrical Properties of ion implanted ZnO thin film for source and drain regions of ZnO-TFTs.
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用于 ZnO-TFT 源极和漏极区域的离子注入 ZnO 薄膜的电性能。
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Hirao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Matsuda;M. Furuta;T. Hiramatsu;H. Furuta;C. Li;and T. Hirao
