N.Suzuki,K.Masu,K.Tsubouchi and N.Mikoshiba,: "Planarized Deposition of High Quality Silicon Dioxide Film by Photoassisted plasma CVD at 300℃ Using Tetraethyl Orthsilicate," Jpn.J.Appl.Phys.29. L2341-L2344 (1990)
N.Suzuki,K.Masu,K.Tsubouchi and N.Mikoshiba,: "Planarized Deposition of High Quality Silicon Dioxide Film by Photoassisted plasma CVD at 300℃ Using Tetraethyl Orthsilicate," Jpn.J.Appl.Phys.29. L2341-L2344 (1990)
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N.Suzuki、K.Masu、K.Tsubouchi 和 N.Mikoshiba，“使用原硅酸四乙酯在 300℃ 下通过光辅助等离子体 CVD 平坦化沉积高质量二氧化硅薄膜”，Jpn.J.Appl.Phys.29-。 L2344 (1990)
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