高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー接合におけるトラップアシストトンネルによる電流増大とコンタクト抵抗低減
高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー接合におけるトラップアシストトンネルによる電流増大とコンタクト抵抗低減
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高浓度 P 离子注入 SiC 上肖特基结中陷阱辅助隧道效应增加电流并降低接触电阻
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
原 征大;金子 光顕;木本 恒暢
