Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer
Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer
复制标题
通过插入高温InN缓冲层生长高质量InN薄膜
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.11.106
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发表时间：
2005
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Nanishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yamaguchi;M. Kurouchi;H. Naoi;A. Suzuki;T. Araki;Y. Nanishi
