M.Mori et al.: "Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using an ECR Plasma"201st Meeting of The Electrochemical Society. Abs.No.402. (2002)
M.Mori et al.: "Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using an ECR Plasma"201st Meeting of The Electrochemical Society. Abs.No.402. (2002)
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M.Mori 等人：“使用 ECR 等离子体在原子级氮化 Si(100) 上进行 Si 外延生长”电化学协会第 201 次会议。
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