Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3×√3-B substrate
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3×√3-B substrate
复制标题
Si(111)√3×√3-B衬底上生长的Bi(110)超薄膜的电子结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Takahashi and H. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Nakatsuji;Y. Shimokawa;T. Fujiwara;K. Nagase;S. Yamazaki;Y. Watanabe;K. Mase;K. Takahashi and H. Hirayama
