イオン液体添加による導電性ブリッジメモリの性能と信頼性の向上
イオン液体添加による導電性ブリッジメモリの性能と信頼性の向上
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添加离子液体提高导电桥存储器的性能和可靠性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木下健太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
阪口敦，渡邉浩平，原田晃典;山岡弘貴;伊藤敏幸;岸田悟;木下健太郎
