Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium
Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium
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使用三甲基镓生长后退火通过金属有机气相外延提高 c 面蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的结构质量
DOI：
10.1063/5.0076706
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Koide Yasuo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Imura Masataka;Inaba Hideki;Mano Takaaki;Ishida Nobuyuki;Uesugi Fumihiko;Kuroda Yoko;Nakayama Yoshiko;Takeguchi Masaki;Koide Yasuo
