Y. Ishikawa, T. Ishihara, M. Iwasaki, M. Tabe: "Negative differential conductance due to resonant tunneling through SiO_2/single-crystalline-Si double barrier structure"Electronics Letters. 37・19. 1200-1201 (2001)
Y. Ishikawa, T. Ishihara, M. Iwasaki, M. Tabe: "Negative differential conductance due to resonant tunneling through SiO_2/single-crystalline-Si double barrier structure"Electronics Letters. 37・19. 1200-1201 (2001)
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Y. Ishikawa、T. Ishihara、M. Iwasaki、M. Tabe：“通过 SiO_2/单晶硅双势垒结构产生的负微分电导”《电子快报》37・1201 (2001)。
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