真空蒸着SnS薄膜を用いたpチャネル薄膜トランジスタの試作
真空蒸着SnS薄膜を用いたpチャネル薄膜トランジスタの試作
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使用真空沉积 SnS 薄膜的 p 沟道薄膜晶体管原型
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
柳 博
中科院分区：
文献类型：
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作者：
米倉 樹;武井 海人;福井 慧賀;有元 圭介;柳 博
