High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates
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DOI：
10.1016/j.tsf.2009.10.080
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
A. Severino;C. Bongiorno;N. Piluso;M. Italia;M. Camarda;M. Mauceri;G. Condorelli;M. A. D. Stefano;B. Cafra;A. Magna;F. Via
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Severino;C. Bongiorno;N. Piluso;M. Italia;M. Camarda;M. Mauceri;G. Condorelli;M. A. D. Stefano;B. Cafra;A. Magna;F. Via
