Strain compensation effect on stacked InAs self-assembled quantum dots embedded in GaNAs layers

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嵌入 GaNs 层中堆叠 InAs 自组装量子点的应变补偿效应

DOI：
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发表时间：
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期刊：
Proceedings of Materials Research Society (MRS), 2005 fall (印刷中)
影响因子：
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通讯作者：
Yoshitaka Okada
Yoshitaka Okada
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Ryuji Oshima;Takayuki Hashimoto;Hidemi Shigekawa;Yoshitaka Okada

文献摘要

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