Impact of Vth Insability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC
Impact of Vth Insability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC
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Vth 不稳定对基于 MIS-HEMT 的 GaN 功率 IC 时间分辨特性的影响
DOI：
10.1109/led.2021.3106785
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发表时间：
2021
影响因子：
4.9
通讯作者：
Liu Xinyu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bi Lan;Jiang Qimeng;Huang Sen;Wang Xinhua;Wang Yingjie;Li Yuchen;Guo Fuqiang;Luan Tiantian;Liu Yang;Fan Jie;Yin Haibo;Wei Ke;Zheng Yingkui;Li Yankui;Liu Xinyu
