Evaluation of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates
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GaN 自支撑衬底上的低载流子厚 n-GaN 肖特基二极管的评估
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tomoyoshi Mishima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenji Shiojima;Yuhei Kihara;Toshichika Aoki;Naoki Kaneda;and Tomoyoshi Mishima
