Ferroelectric Split-Gate-Field-Effect-Transistors for Nonvolatile Memory Cell Array
Ferroelectric Split-Gate-Field-Effect-Transistors for Nonvolatile Memory Cell Array
复制标题
用于非易失性存储单元阵列的铁电分栅场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hirokazu SAIKI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井坂勉;長谷川晶一;寺島俊介;関井康雄;林友直;Hirokazu SAIKI
