High Breakdown Voltage and Low Dynamic ON-Resistance AlGaN/GaN HEMT with Fluorine Ion Implantation in SiNx Passivation Layer
High Breakdown Voltage and Low Dynamic ON-Resistance AlGaN/GaN HEMT with Fluorine Ion Implantation in SiNx Passivation Layer
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SiNx 钝化层中氟离子注入的高击穿电压和低动态导通电阻 AlGaN/GaN HEMT
DOI：
10.1186/s11671-019-3025-8
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发表时间：
2019
影响因子：
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通讯作者：
Zhang Bo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang Chao;Luo Xiaorong;Sun Tao;Zhang Anbang;Ouyang Dongfa;Deng Siyu;Wei Jie;Zhang Bo
