Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor
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控制 3C-SiC 中的平面缺陷：唤醒其发展的方法 将 3C-SiC 开发为实用半导体
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Maki Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroyuki Nagasawa;Maki Suemitsu
