MOVEP再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET
MOVEP再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET
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具有 MOVEP 再生 n^+ 源极的 III-V 高迁移率沟道 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古屋一仁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金澤徹;斎藤尚史;若林和也;寺尾良輔;田島智宣;池田俊介;宮本恭幸;古屋一仁
