Charge-trapping defects in Cat-CVD silicon nitride films
Charge-trapping defects in Cat-CVD silicon nitride films
复制标题
Cat-CVD 氮化硅薄膜中的电荷捕获缺陷
DOI：
10.1016/s0040-6090(01)01279-2
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Y. Nashimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Umeda;Y. Mochizuki;Y. Miyoshi;Y. Nashimoto
