Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
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通过 Mg/Si 薄膜多层退火形成硅化镁作为硅基隧道 FET 的源材料
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yan Wu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jothiramalingam Kulothungan;Manoharan Muruganathan;Marek Schmidt and Hiroshi Mizuta;Yan Wu
