高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現
高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現
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使用高压惰性气体PDA实现AlN/Ge栅堆叠
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田畑俊行
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nishimura;C.H.Lee;T.Tabata;S.K.Wang;K.Nagashio;K.Kita;A.Toriumi;田畑俊行
