Density of states scaling in disordered 3D topological insulators
Density of states scaling in disordered 3D topological insulators
复制标题
无序 3D 拓扑绝缘体中的态密度缩放
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ohtsuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenichi Umeda;Kei Kobayashi;Noriaki Oyabu;Kazumi Matsushige;and Hirofumi Yamada;T. Ohtsuki
