シリコン微結晶構造を用いたMOSカソードの電子放出特性
シリコン微結晶構造を用いたMOSカソードの電子放出特性
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采用硅微晶结构的MOS阴极的电子发射特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
嶋脇秀隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
村井 渡;他;H. Shimawaki;村井渡,堀田昌志,小川良太,羽野光夫;H. Shimawaki;宮原舞子,堀田昌志,粟井郁雄;村井渡,福山真三,堀田昌志,羽野光夫,粟井郁雄;H. Shimawaki;H. Shimawaki;H. Shimawaki;H. Shimawaki;嶋脇秀隆
