Vacancy induced Jahn-Teller distortion in silicon and its influence to the electronic structure
Vacancy induced Jahn-Teller distortion in silicon and its influence to the electronic structure
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硅中空位引起的Jahn-Teller畸变及其对电子结构的影响
DOI：
10.1142/s0217984915501365
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发表时间：
2015-09
影响因子：
1.9
通讯作者：
Zhou Lang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhong Shuying;Lei Xueling;Zhou Lang
在周期性超原胞中，用第一性原理计算方法研究了晶体硅中单空位（V1）、双空位（V2）和六空位（V6）的原子和电子结构。我们的结果表明，V6缺陷是V1，
Atomic and electronic structures of monovacancy (V1), divacancy (V2) and ring hexavacancy (V6) in crystalline silicon are studied using first-principles calculations in periodic supercells. Our results show that the V6 defect is the most stable among V1,
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