Titanium-hydrogen defects in silicon.
Titanium-hydrogen defects in silicon.
复制标题
硅中的钛氢缺陷。
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Weber
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jost;Weber
通过湿法化学蚀刻或远程氢等离子体处理，在晶体Si中产生几种钛-氢（TiH）络合物。我们确定了两个电活性（${E}_{C}ensuremath{-}0.31$ eV，${E}_{C}ensuremath{-}0.57$ eV）和一个电惰性TiH配合物。被动TiH络合物在高于570 K的温度下解离，导致间隙Ti浓度增加。
Several titanium-hydrogen (TiH) complexes are generated in crystalline Si by wet chemical etching or a remote hydrogen plasma treatment. We identify two electrically active (${E}_{C}ensuremath{-}0.31$ eV, ${E}_{C}ensuremath{-}0.57$ eV) and one electrically inactive TiH complex. The passive TiH complex dissociates at temperatures above 570 K, leading to an increase in the interstitial Ti concentration.