InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係
InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係
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InGaN量子阱激光器光增益与内电场的关系
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川上養一外3名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小島一信;船戸充;川上養一外3名
