Electrical Characterization of n+-InSb/p-Si Heterojunctions Grown by Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
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表面重构控制外延生长的 n -InSb/p-Si 异质结的电学特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Maezawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kimura;K. Hosotani;T. Ito;H. Shimoyama;T. Sakamoto;M. Mori;and K. Maezawa
