PDECB-based approach to radical-beam epitaxy of high-quality cubic GaN and AIN
PDECB-based approach to radical-beam epitaxy of high-quality cubic GaN and AIN
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基于 PDECB 的高质量立方 GaN 和 AIN 自由基束外延方法
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
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通讯作者：
Keiji Hayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keiji Hayashi
