Electrical characterization of strained Si/SiGe wafers using transient capacitance measurements
Electrical characterization of strained Si/SiGe wafers using transient capacitance measurements
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使用瞬态电容测量对应变 Si/SiGe 晶圆进行电气表征
DOI：
10.1063/1.1891303
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发表时间：
2004
影响因子：
4
通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dong Wang;M. Ninomiya;M. Nakamae;H. Nakashima
使用深能级瞬态光谱和金属氧化物半导体瞬态电容方法评估了应变 Si(St-Si)∕SiGe 晶圆的界面态密度 (Nss) 和少数载流子生成寿命 (τg)。 Nss 显示出与 St-Si 厚度 (dSi) 的独立性以及与 Ge 分数 (Ge%) 的明显依赖性。 τg 显示出对 dSi 和 Ge% 的强烈依赖性。详细讨论了这些依赖性的原因。
Interface states density (Nss) and minority carrier generation lifetime (τg) were evaluated for strained Si(St-Si)∕SiGe wafers using deep level transient spectroscopy and metal-oxide-semiconductor transient capacitance methods. Nss shows an independence on St-Si thickness (dSi) and an obvious dependence on Ge fraction (Ge%). τg shows a strong dependence on both dSi and Ge%. The reasons of these dependencies are discussed in detail.