Polarimetric performance of Si/CdTe semiconductor Compton camera

Polarimetric performance of Si/CdTe semiconductor Compton camera
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Si/CdTe半导体康普顿相机的偏振性能

DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A
影响因子：
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通讯作者：
S.
S.
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Takeda;S.

文献摘要

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