STM/STSによる水素終端Si(110)表面の局所電子状態評価
STM/STSによる水素終端Si(110)表面の局所電子状態評価
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通过 STM/STS 评价氢封端 Si(110) 表面的局域电子态
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須藤彰三
中科院分区：
文献类型：
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作者：
芳賀健也;江口豊明;松下ステファン悠;福井邦虎;伊藤隆;胡春平;渡辺一之;須藤彰三
