宇宙用SOI半導体部品の処理能力向上のための放射線誘起過渡現象の研究
宇宙用SOI半導体部品の処理能力向上のための放射線誘起過渡現象の研究
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研究辐射引起的瞬态现象以提高太空用 SOI 半导体元件的产量
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小林大輔;他
