J.Murota et al.: "In-Situ Doping in CVD Epitaxial Si_<1-x>Ge_x Heavy-Doping and Electrical Characteristics"1999 Spring Meeting, Materials Research Society. 328-329 (1999)
J.Murota et al.: "In-Situ Doping in CVD Epitaxial Si_<1-x>Ge_x Heavy-Doping and Electrical Characteristics"1999 Spring Meeting, Materials Research Society. 328-329 (1999)
复制标题
J.Murota等人：“CVD外延Si_1-x>Ge_x重掺杂和电特性中的原位掺杂”1999年春季会议，材料研究学会。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
