Emissions of the InGaN/GaN MQW LEDs with the InGaN well layer grown at different temperatures
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DOI：
10.1016/j.spmi.2021.107090
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发表时间：
2021-11
影响因子：
3.1
通讯作者：
Rui Li;Mingsheng Xu;Chengxin Wang;Shangda Qu;Kaiju Shi;Changfu Li;Xiangang Xu;Z. Ji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rui Li;Mingsheng Xu;Chengxin Wang;Shangda Qu;Kaiju Shi;Changfu Li;Xiangang Xu;Z. Ji
