Effects of p-layer hole concentration and thickness on performance of p-i-n InGaN homojunction solar cells
Effects of p-layer hole concentration and thickness on performance of p-i-n InGaN homojunction solar cells
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p层空穴浓度和厚度对p-i-n InGaN同质结太阳能电池性能的影响
DOI：
10.7498/aps.68.20191042
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发表时间：
2019
影响因子：
1
通讯作者：
Quan Zhi Jue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Pan Hong Ying;Quan Zhi Jue
