A Schottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode
A Schottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode
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铝电极 SiC MOS 电容器介质击穿形成 SiC 外延层与 Al-C-Si 合金之间的肖特基势垒
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaaki Niwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Soshi Sato;Kikuo Yamabe;Tetsuo Endoh;Masaaki Niwa
